- Capacidad: 512 GB.
- Interfaz: PCIe Gen3 x4, compatible con el protocolo NVMe, factor de forma M.2 2280.
- Velocidad de Lectura Secuencial: Aproximadamente 1,800 MB/s, según las especificaciones de Intel para esta línea.
- Velocidad de Escritura Secuencial: Aproximadamente 1,800 MB/s, según las especificaciones.
- Tipo de Memoria Flash: Utilizaba NAND QLC (Quad-Level Cell), lo que permitía una alta densidad de almacenamiento a un costo menor.
- Endurance (TBW): 100 TBW (Total Bytes Written) para el modelo de 512 GB, una cifra adecuada para el uso general de consumo.
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